- [行业资讯]东芝采用0.13μm工艺的静电放电（ESD）保护器件适用于模拟功率半导体，可改善静电放电特性2016年08月03日 14:24
- 东芝公司（TOKYO：6502）成功研发出一款适用于模拟功率半导体应用的静电放电（ESD）保护器件，产品采用先进的0.13μm工艺技术制造，优化了晶体管结构，显著提高了静电放电特性。静电放电保护鲁棒性提高多达四倍，标准偏差仅为传统结构的十二分之一。三维仿真分析也有助于东芝发现一种机制，优化晶体管结构，提高静电放电鲁棒性。东芝在2016年6月14日于捷克举行的国际半导体研讨会“ISPSD2016”上公布了这些创新成果。
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